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2019-07-18 来源:WWW.888533.COM

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  (责任单位:市工业和信息化局、科技创新委、发展改革委、商务局,福田、南山、龙华、坪山区政府)专栏3第三代半导体培育工程射频通信器件:布局建设6英寸GaN(氮化镓)射频器件生产线,产品工作频段覆盖至毫米波。衬底和外延片材料:布局4-6英寸高纯半绝缘SiC衬底和n型SiC衬底、2―4英寸GaN衬底、4-6英寸SiC外延片、4-6英寸SiC基GaN外延片、8英寸Si基GaN外延片等第三代半导体材料项目。

  建设公共服务平台。支持平台提供EDA工具租赁、试用验证、集成电路设计培训、公共软硬件环境、仿真和测试、多项目晶圆加工、IP核库等服务,满足设计企业共性需求。

WWW.888533.COM,  (四)落实环保配套措施。

丰富集成电路制造企业多元化工艺平台。  (责任单位:市工业和信息化局、发展改革委、科技创新委,福田、南山、宝安、龙岗、龙华、坪山、光明区政府)专栏5平台服务增效工程国家集成电路设计深圳产业化基地:进一步提升基地公共EDA设计、IP/SoC开发、测试验证、教育培训等公共技术平台的服务能力,不断完善基地的集成电路设计服务体系,促进企业产品研发和技术创新。

国家“芯火”双创基地(平台):贯彻落实国家“芯火”创新行动计划,推动建设集成电路“芯火”双创平台,围绕集成电路设计及应用,聚焦智能传感及工业互联网产业,建设集成电路设计服务、共性关键技术服务、感知计算应用服务以及创新创业孵化服务等子平台。重点引进第三代半导体射频通信器件、电力电子器件、光电器件的设计、制造、材料龙头企业和高层次创新团队。

支持建设应用示范项目芯片试用验证平台。W W W . 5 9 4 6 7 8 . C O MW W W . 7 5 8 5 5 5 . C O M。

  三、主要任务  (一)突破短板,补齐芯片制造和先进封测缺失环节。以骨干企业、科研机构为依托,联合上下游企业和高校、科研院所等构建中小企业孵化平台。

衬底和外延片材料:布局4-6英寸高纯半绝缘SiC衬底和n型SiC衬底、2―4英寸GaN衬底、4-6英寸SiC外延片、4-6英寸SiC基GaN外延片、8英寸Si基GaN外延片等第三代半导体材料项目。鼓励职业技术学校设立微电子学科和开设集成电路相关实训课程。

  (三)加强产业空间保障。面向5G通信、新能源汽车、轨道交通、高端电源等新兴应用市场,大力引进境内外技术领先的第三代半导体企业,支持其建设射频器件和电力电子器件生产线,并形成配套材料和封装能力。

结合产业布局和市场需求,集中突破14纳米、10纳米及以下节点芯片制造、先进晶圆级封装、硅光电子制造、高端MEMS(微机电系统)传感器制造、CPU/GPU/FPGA等高端通用芯片设计、人工智能芯片设计、高端电源管理芯片设计、5G通信中高频器件设计和制造、EDA/IP核、超高清图像传感器制造、高端光刻机和关键零部件、GaN外延材料、高纯SiC衬底材料、高端功率半导体制造等技术。国家“芯火”双创基地(平台):贯彻落实国家“芯火”创新行动计划,推动建设集成电路“芯火”双创平台,围绕集成电路设计及应用,聚焦智能传感及工业互联网产业,建设集成电路设计服务、共性关键技术服务、感知计算应用服务以及创新创业孵化服务等子平台。

  持续壮大产业规模。智能终端芯片:发挥本市在手机、可穿戴设备等终端的应用优势,瞄准未来移动智能终端发展趋势,加快推动在应用处理器、触控芯片、指纹识别等领域实现全球领先。

  成立市集成电路产业发展领导小组,由市政府主要负责同志担任组长、分管负责同志担任副组长、市工业和信息化局、发展改革委、教育局、科技创新委、财政局、人力资源保障局、规划和自然资源局、生态环境局、商务局、国资委、市场监管局、地方金融监管局,各区政府(新区管委会)、深汕特别合作区管委会主要负责同志为成员,统筹推进集成电路产业发展工作,协调解决产业发展重大问题。产业规模大幅增长、设计水平和制造工艺水平显著提高、自主创新能力进一步提升,突破一批关键核心技术,形成一批骨干企业和创新平台,在重点产品和技术上形成突出的比较优势,支撑和引领我市战略性新兴产业高质量发展。

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